光耦合器(optical coupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器,简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。
光耦合器传输的信号可以为数字信号,也可以为模拟信号,只是对器件要求不同,故选择时应针对输入信号选择相应的光电耦合器。模拟信号所用光耦常称为线性光耦,光电耦合器在传输信号的原理上与隔离变压器相同,但它体积小,传输信号的频率高,使用方便,光电耦合器一般采用DIP封装。
用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。当有电流通过发光二极管时,便形成一个光源,该光源照射到光敏三极管表面上,使光敏三极管产生集电极电流,该电流的大小与光照的强弱,亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输,因而两部分之间在电气上完全隔离,没有电信号的反馈和干扰,故性能稳定,抗干扰能力强。发光管和光敏管之间的耦合电容小(2pf左右)、耐压高(2.5KV左右),故共模抑制比很高。输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。此外,因其输入电阻小(约10Ω),对高内阻源的噪声相当于被短接。因此,由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气性能。
事实上,光耦合器是一种由光电流控制的电流转移器件,其输出特性与普通双极型晶体管的输出特性相似,因而可以将其作为普通放大器直接构成模拟放大电路,并且输入与输出间可实现电隔离。然而,这类放大电路的工作稳定性较差,无实用价值。究其原因主要有两点:一是光耦合器的线性工作范围较窄,且随温度变化而变化;二是光耦合器共发射极电流传输系数β和集电极反向饱和电流ICBO(即暗电流)受温度变化的影响明显。因此,在实际应用中,除应选用线性范围宽、线性度高的光耦合器来实现模拟信号隔离外,还必须在电路上采取有效措施,尽量消除温度变化对放大电路工作状态的影响。
从光耦合器的转移特性与温度的关系可以看出,若使光耦合器构成的模拟隔离电路稳定使用,则应尽量消除暗电流(ICBO)的影响,以提高线性度,做到静态工作点IFQ随温度的变化而自动调整,以使输出信号保持对称性,使输入信号的动态范围随温度变化而自动变化,以抵消β值随温度变化的影响,保证电路工作状态的稳定性。
光耦合器有管式、双列直插式和光导纤维式等封培育形式,其种类达数十种。光耦合器的种类达数十种,主要有通用型(又分无基极引线和基极引线两种)、达林顿型、施密特型、高速型、光集成电路、光纤维、光敏晶闸管型(又分单向晶闸管、双向晶闸管)、光敏场效应管型。此外还有双通道式(内部有两套对管)、高增益型、交-直流输入型等等。国外生产厂家有英国ISOCOM公司等,国内厂家的苏州半导体总厂等。
信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件,现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离 、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。
光耦合器的一项普遍应用是专用调制解调器,允许电脑与电话线连接,且消除电气瞬变引起的风险或损害。光耦合器除提供高度电气绝缘外,还可提高差模信号与共模信号的比率。
DIP广泛用于集成电路的封装,也用于常规的光耦合器(如图1所示)。厂家通常制造具有4、6、8或16接脚的各种型式DIP封装光耦合器。
不过,P-DIP光耦合器的封装可以进一步改进,例如,光耦合器封装需要昂贵和费时的过成型(overmolding)处理。在这个处理过程中,成型化合物灌封光耦合器封装的其它部分。除过成型工艺本身外,还需要采取成型材料清除工艺(例如除废物和除闪烁工艺)除掉多余的成型化合物,这就增加了光耦合器封装的时间和费用。
此外,厂家还需要投入较多的资金,用于成型不同外形尺寸封装(如4、6或8接脚封装)的工具,因此,如果能够省去过成型工艺,就可减少制造光耦合器封装的相关时间和成本。此外,DIP光耦合器封装并不能很好地以表面附着方式安装到PCB板上-必须重整引脚以便进行表面安装回流焊,这常常存在引起微小裂缝的危险,影响组件的可靠性。更进一步地,对于其它组件使用薄型表面安装的封装形式,如TSSOP或TQFT器件的用户来说,这样重整后的DIP封装的高度仍存在问题。
光耦合器BGA2的设计特性可解决这些问题,它是高度不超过1.20mm,占位面积小于现有的PDIP外形尺寸的低侧高小型表面安装组件。光耦合器BGA封装(如图2所示)不需要灌封材料(成型化合物),而且它的制造工具与封装的外形尺寸无关。其设计也可改善封装在热循环等加速测试中的可靠性能。采用无铅焊球可构建完全无铅的封装。
光耦合器BGA封装包括氧化铝基底,其上形成图案踪迹和区域,用于砷化镓发光二极管(LED)和光电探测器硅组件的晶片附着,LED的焊接方法使其可以被施加外接偏压,光电探测器连接至输出。采用光涂层结合LED和光电探测器,以进行介质之间的大量传输。而且,采用反射涂层覆盖光涂层,使传送到感光性晶片的辐射达到最大。焊球形成二层互连(封装至PCB板),图3所示为光耦合器BGA封装的截面。
采用业界传统的基底厚度和工艺,便可以构造侧高很低的可表面安装式光耦合器封装,而且,利用封装设计的独特性能,便可以省去一组极高的工艺步骤:成型、除闪烁、修整和重整。采用钻石轮划片的晶片锯切方式可完成光耦合器BGA的单一化。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
最重要的参数是电流放大系数传输比CTR(Curremt-Trrasfer Ratio)。通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。当接收管的电流放大系数hFE为常数时,它等于输出电流IC之比,通常用百分数来表示。有公式:
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~30%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~500%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,选取原则如下:
(1)光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。若CTR>200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发,影响正常输出。
(2)推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线)鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),因此不推荐用在开关电源中。
在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光电半导体管,因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿型不然,它由复合管构成,两个硅PN结串联成复合管的发射结。根据上述差别,很容易将通用型与达林顿型光耦合器区分开来。具体方法是,将万用表拨至R×100档,黑表笔接B极,红表笔接E极,采用读取电压法求出发射结正向电压VBE。若VBE=0.55~0.7V,就是达林顿型光耦合器。
通用型与达林顿型光电耦合的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hFE为几十倍至几百倍,后者可达数千倍,二者相差1~2个数量级。因此,只要准确测量出hFE值,即可加以区分。
(1)因为达林顿型光耦合器的hFE值很高,所以表针两次偏转格数非常接近。准确读出n1、 n2的格数是本方法关键所在,否则将引起较大的误差。此外,欧姆零点亦应事先调准。
(2)若4N30中的发射管损坏,但接收管未发现故障,则可代替超β管使用。同理,倘若4N35中的接收管完好无损,也可作普通硅NPN晶体管使用,实现废物利用。
(3)对于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器,本方法不再适用。建议采用测电流传输比CTR的方法加以区分。
这是光耦合器的内部结构。在左侧引脚1和引脚2上,它是一个LED(发光二极管),LED向右侧的光敏晶体管发射红外光。光电晶体管通过其集电极和发射极切换输出电路,与典型的BJT晶体管相同。LED的强度直接控制光电晶体管。
由于LED可以由不同的电路控制,而光电晶体管可以控制不同的电路,因此两个独立的电路可以由光耦合器控制。此外,在光电晶体管和红外LED之间,空间是透明和非导电材料;它对两个不同的电路进行电气隔离。LED和光电晶体管之间的中空空间可以使用玻璃,空气或透明塑料制成,电气隔离度要高得多,通常为10kV或更高。
市场上有许多不同类型的光耦合器,具体取决于其需求和开关能力。根据用途的不同,主要有四种类型的光耦合器可供选择。
在上图中,内部结构显示在光电晶体管光耦合器内部。晶体管类型可以是任何东西,无论是PNP还是NPN。
光电晶体管可以分为两种类型,具体取决于输出引脚的可用性。在左边的第二个图像上,有一个额外的引脚输出,它与晶体管的基极内部连接。该引脚6用于控制光电晶体管的灵敏度。通常,引脚用于使用高阻值电阻器与地或负极连接。在这种配置中,可以有效控制由噪声或电气瞬变引起的误触发。
此外,在使用基于光电晶体管的光耦合器之前,用户必须知道晶体管的最大额定值。PC816、PC817、LTV817、K847PH是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。照片–基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关隔离。
在上图中有两种类型的符号,显示了基于Photo-Darlington的光耦合器的内部结构。
达林顿晶体管是两个晶体管对,其中一个晶体管控制另一个晶体管基极。在这种配置中,达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样,LED发射红外LED并控制这对晶体管的基极。
这种类型的光耦合器也用于直流电路相关领域的隔离。内部连接到晶体管基极的第6个引脚,用于控制晶体管的灵敏度,如前面的光电晶体管描述中所述。4N32、4N33、H21B1、H21B2、H21B3是少数基于达林顿光耦合器的例子。
可控硅主要用于需要交流控制或开关的地方。LED可以使用直流电进行控制,而可控硅则用于控制交流电。这是一个三端双向可控硅应用程序。基于光电可控硅的光耦合器示例包括IL420,4N35等是基于可控硅的光耦合器。
SCR代表可控硅整流器,SCR也称为晶闸管。在上图中,显示了基于Photo-SCR的光耦合器的内部结构。与其他光耦合器一样,LED发射红外线。SCR由LED的强度控制。基于光电SCR的光耦合器,用于交流相关电路。
如前所述,很少有光耦合器用于直流电路,很少有光耦合器用于交流相关操作。由于光耦合器不允许两侧之间直接电气连接,因此光耦合器的主要应用是隔离两个电路。
从开关其他应用,就像晶体管可用于开关应用一样,可以使用光耦合器。它可用于各种微控制器相关操作,其中需要来自高压电路的数字脉冲或模拟信息,光耦合器可用于在两者之间实现出色的隔离。
光耦合器可用于交流检测、直流控制相关操作。让我们看看光电晶体管的几个应用。
在上部电路中使用基于光电晶体管的光耦合器电路。它将像典型的晶体管开关一样工作。在原理图中,使用了基于光电晶体管的低成本光耦合器PC817。红外线开关控制。当开关打开时,9V电池电源将通过限流电阻10k向LED提供电流。强度由R1电阻控制。如果我们改变值并使电阻降低,LED的强度将很高,从而使晶体管增益很高。
另一方面,晶体管是由内部红外LED控制的光电晶体管,当LED发出红外光时,光电晶体管将接触,VOUT将为0,关闭连接在其上的负载。需要记住的是,根据数据表,晶体管的集电极电流为50mA。R2提供VOUT5v。R2为上拉电阻。
在这种配置中,基于光电晶体管的光耦合器可以与微控制器一起使用,以检测脉冲或中断。
图中显示了另一个电路来检测交流电压。红外LED由两个100k电阻控制。使用两个100k电阻而不是一个200k电阻器是为了在短路相关条件下提供额外的安全性。LED连接在墙上插座线(L)和中性线时,LED开始发出红外线。光电晶体管发出响应并将VOUT从5V转换为0V。
在这种配置中,光耦合器可以连接在低压电路上,例如需要交流电压检测的微控制器单元。输出将产生方高到低脉冲。
到目前为止,第一个电路用于控制或切换直流电路,第二个电路用于检测交流电路并控制或切换直流电路。接下来,我们将看到使用直流电路控制交流电路。
在上电路中,LED再次由9V电池通过10k电阻和开关的状态进行控制。另一方面,使用基于光电可控硅的光耦合器,该耦合器从220V交流插座控制交流灯。68R电阻用于控制BT136可控硅,由光耦合器单元内的光电可控硅控制。
这种类型的配置用于控制使用低压电路的电器。IL420用于上部原理图,这是一个基于光电可控硅的光耦合器。LD乐动 乐动体育LD乐动 乐动体育